全球最大规模的闪存峰会(FMS) 于2018年8月7日在美国硅谷圣塔克拉拉国际会议中心召开。聚源资本参与投资的深圳大心电子(Shenzhen EpoStarElectronics)在会上亮相，它专注于固态硬盘的技术开发, 除了介绍新系列自主研发的PCIe固态硬盘控制器芯片，还发表展示了领先业界的NVMe-oF技术。董事长李明豪博士，也受邀在闪存CEO论坛中, 对于中国未来闪存市场的成长和机会，分享看法。
因应中国闪存市场不断的成长，从闪存研发制造到产品设计与生产、 中国闪存供应链的规模持续放大。此次闪存峰会，除了中国市场和技术交流演讲外，特举办CEO论坛，给中国地区的业界人士，和六位来至闪存企业的重量级嘉宾，提供意见交流和答疑的渠道。除了深圳大心董事长李明豪博士受邀之外，还包括群联总裁潘建成先生、中科院刘明院士、兆易创新副总裁Michael Wang、宇瞻技术长Robert Lee、和阿里巴巴李舒先生。李董事长在论坛中指出，全世界都非常重视中国的闪存市场及相关产业发展，随着时间变化，谁能掌握技术和市场的需求，就能在云的时代，拥有市场机会。
今年深圳大心在闪存峰会展场，最受业界关注的是與赛灵思(Xilinx)共同发表了NVMe-oF技术并展示了全球首款NVMe-oF 和PCIe双接口的固态硬盘原型，也表示了深圳大心已拥有NVMe-oF领先的技术。 在深圳大心的动态演示中，一台远程的主机经由40Gb以太网络和RoCE v.2 RDMA，可直接跑NVMe协定来读写位在远程的固态硬盘。硬盘上的NVMe-oF 和PCIe Gen4x4两个接口，可以同行运作。和今年在峰会的其他NVMe-oF技术比较，拥有额外的PCIe接口和带宽，更将双接口直接整合到控制器芯片内，是一个高优化、低延迟、高效率的解决方案。
除了原有的PCIe固态硬盘控制器芯片Orion，深圳大心也发表了新一代Libra 和Libra-Lite两款控制芯片。 Libra 是PCIe 3.0 四通道，FLASH接口共有八通道，顺序读性能可到3.5GB/s，顺序写性能可到3.0 GB/s ，随机读写可达700KIOPS。 内建第二代的LDPC错误更正技术，支持最新的3DTLC/QLC闪存，和8TB的硬盘容量。可应用于企业级、高阶消费级及工控领域。同一系列的Libra-Lite控制芯片支持HMB，可用于PCIe3.0 四通道和DRAM-less需求的固态硬盘产品。
